塞贝克效应指材料两端温度差（ΔT）产生电势差（ΔV），塞贝克系数（α）定义为 α = -ΔV/ΔT。电阻分析通过四探针法测量电阻率（ρ）。仪器同步测量 α 和 ρ，结合热导率可计算热电优值（ZT = α²σT/κ），评估材料热电转换效率。
参数 | 测量范围 | 精度 |
|---|---|---|
塞贝克系数 (α) | ±2000 μV/K | ±5% |
电阻率 (ρ) | 0.1 μΩ·m – 100 mΩ·m | ±3% |
温度范围 | -100°C 至 1100°C | ±0.5°C |
ZT 值 | 0.001 – 2.5 | ±7% |
热电材料（Bi₂Te₃、Skutterudites）、半导体薄膜、陶瓷、合金研发。
材料类型 | 尺寸要求 | 形态要求 | 特殊说明 |
|---|---|---|---|
块体/陶瓷 | 长 2-15 mm，宽 2-10 mm，厚 0.5-5 mm | 六面平整，无裂纹 | 表面抛光至 Ra≤1 μm |
薄膜 | 基底尺寸 ≥10×10 mm，膜厚 ≥200 nm | 附着力强，无剥落 | 需提供基底导热系数 |
粉末 | 压片后直径 ≥8 mm，厚 1-3 mm | 压实密度 >90%理论密度 | 需用户自备压片 |
液态/凝胶 | 不支持直接测试 | 需固化或涂覆于基底 | 提前咨询可行性 |
样品制备：
块体/陶瓷：线切割→研磨抛光→超声清洗。
薄膜：划片为条形→电极沉积（Au/Pt）。
上机条件：
真空度 ≤10⁻³ Pa，ΔT=5-20K（自定义）。
四探针间距校准至 1 mm。
结果处理：
软件自动拟合 α-ρ 曲线，输出 ZT 值。
生成热电参数随温度变化图谱。
数据波动大：样品表面不平整或电极接触不良 → 重新抛光/沉积电极。
塞贝克系数负值：n型半导体特性 → 结合成分分析确认载流子类型。
电阻率异常高：界面氧化层形成 → 测试前氩气保护预处理。
高温数据漂移：热辐射干扰 → 启用屏蔽罩并降低升温速率。
薄膜剥离：热应力失配 → 优化基底选择或降低 ΔT。