基本原理
正电子湮没寿命谱仪(PALS)是基于正电子湮没技术的材料微观缺陷表征仪器,利用 ²²Na 放射源发射的正电子注入样品后,被原子尺度缺陷(空位、位错、微孔洞)捕获,通过测量湮没 γ 光子的时间差获得正电子寿命谱,从而定量分析材料中缺陷的类型、尺寸和浓度。其测量范围覆盖从完整晶格(~100 ps)到大尺寸空位团簇和微孔洞(~2000 ps),适用于金属、合金、半导体、陶瓷、高分子等各类固体材料,是材料科学中表征原子尺度缺陷的核心工具。
设备参数范围
项目 | 参数 |
|---|---|
仪器名称 | 正电子湮没寿命谱仪(PALS) |
产品型号 | DPLS 3000 |
采集模式 | 数字采集(高速数字化仪 + 恒比定时甄别 CFD) |
时间分辨率 | ≤200 ps(FWHM,²²Na 源 γ 射线对) |
探测器 | BaF₂ 闪烁体 + 光电倍增管(PMT),ø 1″〜2″ |
数据采集 | 双通道 12-bit 数字化仪,采样率 ≥8 GS/s |
分析软件 | Lifetime9 / MELT / LT 程序,多寿命分量拟合 |
放射源 | ²²Na(活度 10〜50 μCi,Kapton 封装) |
最大计数率 | ≥500 cps(符合计数) |
温度范围 | 室温〜773 K(可选高温/低温样品台) |
典型应用场景
◎ 金属材料
辐照损伤评估、氢脆机制研究、疲劳/蠕变过程中的空位演化跟踪
◎ 半导体材料
离子注入损伤评估、掺杂诱生缺陷分析、界面态密度检测
◎ 储氢材料
循环吸/放氢导致的空位缺陷累积评价,容量衰退机制研究
◎ 核材料
中子辐照诱导空位团簇(黑斑缺陷)定量表征,评价辐照脆化程度
◎ 功能陶瓷
氧空位浓度与电导率/催化活性关联分析,热障涂层退化评估
◎ 高分子材料
自由体积孔洞尺寸分布测量,玻璃化转变过程中的微结构变化
